Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ... 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
AT25DF641A 64 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-8
UDFN-8
M25PE40 4Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI Numonyx Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-8
VFQFPN-8
IS62WV10248BLL Малопотребляющее статическое ОЗУ 1Мх8 ISSI High Speed SRAM
1024 8 2.5 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-48
AT26DF321 Flash память для хранения программного кода из семейства DataFlash емкостью 32 Мбит, напряжением питания 2.7В и последовательным интерфейсом доступа Atmel Corporation Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-16
SOIC-8
VDFN-8
IS61NVF51218A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 9Мб 512Кх18 ISSI High Speed SRAM
512 18 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
AS7C31025C Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 3.3В Alliance Memory High Speed SRAM
128 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOJ-32
TSOPII-32
DS1345Y Энергонезависимая SRAM емкостью 1024К со встроенной литиевой батареей Maxim Integrated NVSRAM
128 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PCM-34
IS62C6416AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64х16 ISSI High Speed SRAM
64 16 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-44
TSOPII-44
CY14V101PS Быстродействующее энергонезависимое статическое ОЗУ (nvSRAM) ёмкостью 1 Мбит с 4-проводным SPI-интерфейсом и встроенными часами реального времени (RTC) Cypress NVSRAM
128 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-16
AT25640A Automotive SEEPROM с интерфейсом SPI, расширенным температурным диапазоном и объемом памяти 64К Atmel Corporation SEEPROM
64 8 2.7 ... 5.5 -40 ... 125 SOIC-8
BS62UV256 Высокопроизводительная сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
32 8 1.8 ... 3.6 -40 ... 85 DIP-28
SOP-28
TSOP28
IS64LF25618A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх18 ISSI High Speed SRAM
256 18 2.7 ... 3.6 -40 ... 125 TQFP-100
NAND01GW3A2B 1Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 Wafer
GS76024A Асинхронная статическая память объемом 6Мб (256Kx24) GSI Technology High Speed SRAM
256 24 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-119
CAT24M01 Последовательная EEPROM с интерфейсом I2C объемом 1 Мбит ON Semiconductor SEEPROM
131 8 1.8 ... 5.5 -40 ... 125 DIP-8
SOIC-8
TSSOP-8
UDFN-8
IS64WV5128BLL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх8 ISSI High Speed SRAM
512 8 1.65 ... 2.2 -40 ... 125 BGA-36
SOJ-36 (400mil)
TSOPII-44
MTFDDAK064MBD Твердотельный накопитель данных объемом 64 ГБ Micron Твердотельные диски
NAND Flash+PSRAM
- - 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 -
AT25010A Высокопроизводительная SEEPROM с интерфейсом SPI и объемом памяти 1К Atmel Corporation SEEPROM
1 8 1.8 ... 5.5 -40 ... 85 SOIC-8
R1LP0408C-7L 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном Renesas Low Power SRAM
512 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOP-32
STSOP-32
TSOPII-32
IS61VF25672A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 256Кх72 ISSI High Speed SRAM
256 72 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
BGA-209
PBGA-119
PBGA-165
Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ... 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019