Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| M5M5W816WG-85H | 8 Mb SRAM (512К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
| IS61VPS204818A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 2Мх18 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 18 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| CY62158EV30 | Статическая память объемом 8Mb (1024K x 8) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| DS2045W | Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 1Мб и напряжением 3.3В |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AT25DL161 | 16 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| IS66WV25616BLL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 256Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 105 |
|
| AT45DB021B | 2 Мбит 2.7-вольтовая ИС Flash памяти семейства DataFlash® |
|
Atmel Corporation |
DataFlash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-28 SOIC-8 |
| K9F1G08U0B | 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IS61NLP25672 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 256Кх72 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 72 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| AS7C32098A | Асинхронная статическая память 64Кх16 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| KFG1216U2M | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| DS1230W | Энергонезависимая SRAM емкостью 256Кб и напряжением питания 3.3В |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
32 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
MOD-28 PCM-34 |
| IS61C1024AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| S34SL04G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи |
|
Cypress |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AT24C04B | 2-х проводная SEEPROM с объемом памяти 4К |
|
Atmel Corporation |
SEEPROM |
4 | 8 | 1.8 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| TC58NVM9S3CBAJW | 64М х 8 бит NAND FLASH |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| BH616UV8010 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IS64VF12836A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 128Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 36 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 125 |
TQFP-100 |
| W26010A | Высокоскоростная ИС статической памяти 64К х 16 |
|
Winbond |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
|
| CY7C4285V–15ASXI | Синхронная FIFO организацией 64K x 18, 15 нс, -40°C...+85°C |
|
Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 18 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-64 |
