Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| CY62157EV18 | Статическая память объемом 8Mb (512Kx16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 1.65 ... 2.25 | -40 ... 85 |
|
| DS1249W | Энергонезависимая SRAM емкостью 2048 Кб с напряжением питания 3,3 В |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
256 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
MOD-32 |
| LP62E16128A-I | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
| AT25BCM512B | 512 кбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт или 32 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| M25PE20 | 2Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| IS62WV51216BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AT26DF161A | Последовательная Flash память семейства DataFlash размером 16 Мбит для хранения кода прошивки |
|
Atmel Corporation |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 VDFN-8 |
| K9F5608R0D | 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| AS7C31025B | Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IDT7200L25TPI | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 25 нс, -40°C...+85°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| KFG1216U2A | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| DS1345AB | Энергонезависимая SRAM емкостью 1024К со встроенной литиевой батареей |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
128 | 8 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
PCM-34 |
| IS61C6416AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64х16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| CY14V101QS | Быстродействующее энергонезависимое статическое ОЗУ (nvSRAM) ёмкостью 1 Мбит с 4-проводным SPI-интерфейсом |
|
Cypress |
NVSRAM |
128 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-16 |
| AT25320A Automotive | SEEPROM с интерфейсом SPI, расширенным температурным диапазоном и объемом памяти 32К |
|
Atmel Corporation |
SEEPROM |
32 | 8 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
| BS62LV256 | Высокопроизводительная малопотребляющая асинхронная статическая память |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS61LF25618A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх18 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 18 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| NAND512W4A2C | 512Мбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 VFBGA-55 |
| GS74117A | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Kx16) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| CAT24C512 | Последовательная EEPROM с интерфейсом I2C объемом 512 Кбит |
|
ON Semiconductor |
SEEPROM |
65 | 8 | 1.8 ... 5.5 | -40 ... 125 |
DIP-8 SOIC-8 TSSOP-8 |
