Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
NAND01GW3B2B 1Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
GS78132A Асинхронная статическая память объемом 8Мб (256K x 32) GSI Technology High Speed SRAM
256 32 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-119
CAV24C16 Последовательная EEPROM с интерфейсом I2C объемом 16 Кбит, автомобильного исполнения ON Semiconductor SEEPROM
2 8 2.5 ... 5.5 -40 ... 125 SOIC-8
TSSOP-8
CAT24AA04 Последовательная память с интерфейсом I2C объемом 4Кб ON Semiconductor SEEPROM
512 8 1.7 ... 5.5 -40 ... 85 SOIC-8
TSOT23-5
IS61WV10248ALL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх8 ISSI High Speed SRAM
1024 8 1.65 ... 2.2 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
AT25080A Высокопроизводительная SEEPROM с интерфейсом SPI и объемом памяти 8К Atmel Corporation SEEPROM
8 8 1.8 ... 5.5 -40 ... 85 SOIC-8
M5M5W816WG-70H 8 Mb SRAM (512К x 16 бит) Renesas Low Power SRAM
512 16 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 CSP-48
IS61VPS102436A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 1Мх36 ISSI High Speed SRAM
1024 36 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-165
CY62158E Статическая память объемом 8Mb (1M x 8) Cypress Low Power SRAM
1024 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 TSOPII-44
DS2045Y Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 1Мб Maxim Integrated NVSRAM
128 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PBGA-256
LP62S16128B-M Низкопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 AMIC Technology Low Power SRAM
128 16 2.7 ... 3.6 -40 ... 105 CSP-48
TSOP-44
AT25DL081 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт Adesto Technologies Serial Flash
- 8 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 SOIC-8
UDFN-8
WLCSP-8
M45PE10 1Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI Numonyx Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-8
VFQFPN-8
AT26F004 Flash память для хранения программного кода из семейства DataFlash емкостью 4 Мбит, напряжением питания 2.7В и последовательным интерфейсом доступа Atmel Corporation Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-8
VDFN-8
K9F5608U0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
WSOPI-48
IS61NVVP51236 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 512Кх36 ISSI High Speed SRAM
512 36 1.71 ... 1.89 -40 ... 85 PBGA-119
AS7C31026C Асинхронная статическая память 64Кх16 и напряжением питания 3.3В Alliance Memory High Speed SRAM
64 16 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-48
SOJ-44
TSOPII-44
DS1350Y Энергонезависимая SRAM емкостью 4096К со встроенной литиевой батареей Maxim Integrated NVSRAM
512 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PCM-34
IS65C6416AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64х16 ISSI High Speed SRAM
64 16 4.5 ... 5.5 -40 ... 125 SOJ-44
TSOPII-44
S34SL02G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 2 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-63
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019