Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IS64WV102416BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
TSOPI-48 |
| BH62UV1611 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| A67L06181 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 1Мх18 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
1024 | 18 | 3.135 ... 3.465 | -25 ... 85 |
LQFP-100 |
| IS61WV102416ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IS61LF102436A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 1Мх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 36 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| CY62167E | Статическая память объемом 16Mb (1Mx16 / 2Mx8) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| BH62UV1610 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| CY62167DV30 | Статическая память объемом 16Mb (1M x 16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| DS3065WP | Энергонезависимая память SRAM объемом 8МБ с питанием 3.3В и встроенными часами реального времени, позволяет организовать законченный блок ОЗУ 1Mx8 |
|
Maxim Integrated |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61NLP102418 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 1Мх18 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 18 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| A67L0618 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 1Мх18 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
1024 | 18 | 3.135 ... 3.465 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |
| IS64WV10248ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| IS61LPS102436A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 1Мх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 36 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| CY62167DV18 | Статическая память объемом 16Mb (1M x 16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
|
| IS66WV51216ALL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
|
| IS61NLP51236 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 512Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| BH616UV8011 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| M5M5W816WG-85H | 8 Mb SRAM (512К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
| BH616UV8010 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| CAT24AA04 | Последовательная память с интерфейсом I2C объемом 4Кб |
|
ON Semiconductor |
SEEPROM |
512 | 8 | 1.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
