Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IS66WV25616ALL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 256Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
|
| MR0A16AС | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 64К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
64 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BS62LV1600 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
2048 | 8 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV12816ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| BS616LV2019 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IS64WV51216BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| BH62UV1601 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
2048 | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61WV12816DALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| BS616LV4017 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| MR1A16AC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61WV6416BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64Кx16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BS616LV1010 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
64 | 16 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| S34SL01G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 1 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи |
|
Cypress |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| S34SL02G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 2 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи |
|
Cypress |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| S34SL04G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи |
|
Cypress |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61WV51232ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кx32 с напряжением питания 3.3В |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 32 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| IS66WV25632ALL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 256Кх32 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 32 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
|
| IS66WV25632BLL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 256Кх32 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 32 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 105 |
|
| IS61WV25632ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256Кх32 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 32 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| AT45DB642D | 64 Мбит, последовательная Flash память серии DataFlash®, напряжение питания 2,7 В, двойной (последовательный/параллельный) интерфейс |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
BGA-24 TSSOP-28 |
