Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| 1636РР3У | 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа |
|
Миландр |
NOR Flash |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
Н14.42-1В |
| 1636РР1АУ | 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа |
|
Миландр |
NOR Flash |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
Н14.42-1В |
| IS61C5128AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| IS61LPS51218A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх18 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 18 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| A67L9336 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 512Кх36 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 3.135 ... 3.465 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |
| IS66WV51216BLL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 105 |
|
| AS7C34096A | Асинхронная статическая память 512Кх8 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| DS1250W | Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кб и напряжением питания 3.3В |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
| IS61C5128AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| CAT24AA08 | Последовательная память с интерфейсом I2C объемом 8Кб |
|
ON Semiconductor |
SEEPROM |
1024 | 8 | 1.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| M440T1MV | Энергонезависимая SRAM объемом 32Мб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
1024 | 32 | 3 ... 3.6 | -15 ... 75 |
|
| IS61WV10248BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| CY62158EV30 | Статическая память объемом 8Mb (1024K x 8) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| A67P06361 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 1Мх36 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
1024 | 36 | 2.375 ... 2.625 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |
| IS61WV10248ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| IS61VPS102436A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 1Мх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 36 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| CY62158E | Статическая память объемом 8Mb (1M x 8) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| 1645РУ4 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 16 Мбит (1М x 16 бит) |
|
Миландр |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
5134.64-6 |
| BH62UV8001 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61VF102418A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 1Мх18 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 18 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
