1645РУ4 Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 16 Мбит (1М x 16 бит)

 

Блок-схема

1645РУ4, Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 16 Мбит (1М x 16 бит)
Увеличить

Группа компонентов

High Speed SRAM

Основные параметры

Организация: Слов,K 1024
Организация: Разрядов,бит 16
Время
выборки
,нс
30
Ток потребления: ICC,мА 150
Ток потребления: ICC Shutdown,мкА 5000
VCC от 3 до 3.6
TA,°C от -60 до 125
Корпус 5134.64-6

Общее описание

Отличительные особенности

  • Емкость СОЗУ 1М х 16 бит
  • Напряжение питания от 3,0 В до 3,6 В
  • Напряжение питания ядра от 1,62 В до 1,98 В
  • Время выборки по адресу и сигналу /СЕ1 и /CE2 не более 30 нс
  • Время выборки по сигналу /ОЕ не более 10 нс
  • Время выборки по сигналам /BLE и /BHE не более 10 нс
  • Микросхема совместима с микросхемами ТТЛ и КМОП типа
  • Температурный диапазон:
    • 1645РУ4А(Б)У: -60...+125°С
    • К1645РУ4А(Б)У: -60...+125°С
    • К1645РУ4В(Г)У: 0...+70°С
Datasheet
 
K1645РУ4 (319.2 Кб), 01.11.2010

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: +7 (495) 981 5433
    Тел: +7 (495) 981 5436 (факс)


Где купить ещё

Datasheet

K1645РУ4 Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 16 Мбит (1М x 16 бит) (319.2 Кб), 01.11.2010




Автор документа: Дмитрий Гаврилюк, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 3943
Дата публикации: 01.11.2010 17:44
Дата редактирования: 26.02.2016 11:11


подписка на новости

Подпишись на новости!



радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:
15 международная выставка по электронике, компонентам, оборудованию и технологиям ChipEXPO-2017