Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
CY62157E | Статическая память объемом 8Mb (512Kx16) | Cypress |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
LP62S4096E-T | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -25 ... 85 |
|
|
IS62WV5128ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
|
DS1251W | Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кбит со скрытыми часами реального времени | Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
|
AT24C512 | 2-х проводная SEEPROM с объемом памяти 512К | Atmel Corporation |
SEEPROM |
512 | 8 | 1.8 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
|
CY62157CV33 | Статическая память объемом 8Mb (512Kx16) | Cypress |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
|
AT24CS04 | Микросхемы последовательной EEPROM памяти объемом 4Кб, содержат 128-битные предустановленные серийные номера | Atmel Corporation |
EEPROM |
512 | 8 | 1.7 ... 5.5 | -55 ... 125 |
SOIC-8 SOT-23-5 TSSOP-8 |
|
IS61NVP51218A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 8Мб 512Кх18 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 18 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
IS61LPD51236A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх36 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
CY62157CV30 | Статическая память объемом 8Mb (512Kx16) | Cypress |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.7 ... 3.3 | -40 ... 125 |
|
|
CY62148EV30 | Статическая память объемом 4Mb (512Kx8) | Cypress |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
R1LV0816ASD-7SI | 8 Мб SRAM (512К х 16бит/ 1М х 8бит) семейства Advanced LPSRAM | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
IS61NLP51218A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 8Мб 512Кх18 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 18 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
IS61VPD51236A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх36 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
CY62148E | Статическая память объемом 4Mb (512Kx8) | Cypress |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
R1LV0816ASD-5SI | 8 Мб SRAM (512К х 16бит/ 1М х 8бит) семейства Advanced LPSRAM | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
AS6C8016 | Ультронизкопотребляющая статическая память 512К х 16 | Alliance Memory |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
R1LV0816ABG-7SI | 8 Мб SRAM (512К х 16бит/ 1М х 8бит) семейства Advanced LPSRAM | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
IS61LPS51236A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх36 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
LP62S16512-I | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх16 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
CSP-48 |