Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
IS65WV102416ALL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 ISSI High Speed SRAM
1024 16 1.65 ... 2.2 -40 ... 125 TSOPI-48
BGA-48
IS65WV12816ALL Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 ISSI High Speed SRAM
128 16 1.65 ... 2.2 -40 ... 125 BGA-48
TSOPII-44
IDT7200L20TDB Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 20 нс, -55°C...+125°C MIL-STD-883, Class B IDT Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 -55 ... 125 CDIP-28
1645РТ2У Однократно электрически программируемое постоянное запоминающее устройство емкостью 256К (32Кх8) бит Миландр NOR Flash
32 8 3 ... 3.6 -60 ... 125 5134.64-6
M24C64-W EEPROM 64кбит с интерфейсом I²C STMicroelectronics EEPROM
8 8 2.5 ... 5.5 -40 ... 125 DIP-8
SOIC-8
TSSOP-8
CAT24C04 Последовательная память объемом 4Кб ON Semiconductor SEEPROM
512 8 1.7 ... 5.5 -40 ... 125 DIP-8
MSOP-8
SOIC-8
TSSOP-8
TDFN-8
TSOT23-5
IS64LV6416L Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64Кх16 ISSI High Speed SRAM
64 16 2.7 ... 3.6 -40 ... 125 BGA-48
TSOPII-44
1645РТ3У Однократно программируемое ПЗУ Flash-типа емкостью 2M с перестраиваемой организацией 128Кх16 или 256Кх8 Миландр NOR Flash
256 8 3 ... 5.5 -60 ... 125 5134.64-6
IS64LPS25636A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх36 ISSI High Speed SRAM
256 36 2.7 ... 3.6 -40 ... 125 TQFP-100
CAT24C02 Последовательная память объемом 2Кб ON Semiconductor SEEPROM
256 8 1.7 ... 5.5 -40 ... 125 DIP-8
MSOP-8
SOIC-8
TSSOP-8
TDFN-8
TSOT23-5
IS64WV102416BLL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 ISSI High Speed SRAM
1024 16 2.4 ... 3.6 -40 ... 125 TSOPI-48
BGA-48
AT25256A Automotive SEEPROM с интерфейсом SPI, расширенным температурным диапазоном и объемом памяти 256К Atmel Corporation SEEPROM
256 8 2.7 ... 5.5 -40 ... 125 SOIC-8
1636РР2АУ 16 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа Миландр NOR Flash
2048 8 3 ... 3.6 -60 ... 125 Н16.48-1В
IS61C5128AS Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 ISSI High Speed SRAM
512 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 125 SOJ-36 (400mil)
SOP-32
TSOPI-32
TSOPII-32
TSOPII-44
1636РР3У 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа Миландр NOR Flash
512 8 3 ... 3.6 -60 ... 125 Н14.42-1В
AT93C86A Automotive 3-х проводная SEEPROM с расширенным температурным диапазоном и объемом памяти 16К Atmel Corporation SEEPROM
16 - 2.7 ... 5.5 -40 ... 125 SOIC-8
CY62128EV30 Статическая память 128К х 8 семейства MoBL® Cypress Low Power SRAM
128 8 2.2 ... 3.6 -40 ... 125 SOIC-32
TSOP-32
M35B32 Микросхема памяти EEPROM объемом 32 Кб с интерфейсом SPI STMicroelectronics EEPROM
32 - 2.5 ... 5.5 -40 ... 125 SOIC-8
TSSOP-8
UFDFPN-8
CAT24C01 Последовательная память объемом 1Кб ON Semiconductor SEEPROM
128 8 1.7 ... 5.5 -40 ... 125 DIP-8
MSOP-8
SOIC-8
TSSOP-8
TDFN-8
TSOT23-5
1636РР1АУ 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа Миландр NOR Flash
512 8 3 ... 3.6 -60 ... 125 Н14.42-1В
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019