Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| K9MCG08U5M | 32 Гбит (4096М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| S30ML256P | 256Мбит (32М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P |
|
Spansion |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
| NAND08GR3B4C | 8Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
ULGA-52 |
| AT93C86A | 3-х проводная SEEPROM с объемом памяти 16K (2048 x 8 or 1024 x 16) |
|
Atmel Corporation |
SEEPROM |
16 | - | 1.8 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| HY27UF084G2B | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
| KFM1G16Q2C | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| K9HBG08U1M | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TLGA-52 TSOPI-48 |
| S30ML512P | 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P |
|
Spansion |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
| TC58CYG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 |
|
| NAND08GW3B2C | 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
| CYF0036V | FIFO с высокой плотностью памяти объемом 36 Мбит |
|
Cypress |
FIFO |
- | - | 1.7 ... 1.9 | -40 ... 85 |
|
| AT93C66A | 3-х проводная SEEPROM с объемом памяти 4K (512 x 8 or 256 x 16) |
|
Atmel Corporation |
SEEPROM |
4 | - | 1 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| HY27UG162G5A | 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
FBGA-63 |
| KFG1G16U2C | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| K9LAG08U0M | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| S30ML512P | 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P |
|
Spansion |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
| TC58CVG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 3 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
| NAND08GR3B2C | 8Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
ULGA-52 |
| CYF1072V | FIFO с высокой плотностью памяти объемом 72 Мбит |
|
Cypress |
FIFO |
- | - | 1.7 ... 1.9 | -40 ... 85 |
|
| AT93C56A | 3-х проводная SEEPROM с объемом памяти 2K (256 x 8 или 128 x 16) |
|
Atmel Corporation |
SEEPROM |
2 | - | 1.8 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
