Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IS61C5128AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| AT93C66A Automotive | 3-х проводная SEEPROM с расширенным диапазоном температур и объемом памяти 4К |
|
Atmel Corporation |
SEEPROM |
4 | - | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
| CY62128E | Статическая память 128К х 8 |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| CAV24C02 | Последовательная EEPROM с интерфейсом I2C объемом 2 Кбит, автомобильного исполнения |
|
ON Semiconductor |
SEEPROM |
0 | 8 | 2.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 TSSOP-8 |
| 1636РР5У | 1М (128Кх8), микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа |
|
Миландр |
NOR Flash |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 |
Н14.42-1В |
| AT93C56A Automotive | 3-х проводная SEEPROM с расширенным температурным диапазоном и объемом памяти 2К |
|
Atmel Corporation |
SEEPROM |
2 | - | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
| IS64VF25618A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх18 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 18 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 125 |
TQFP-100 |
| CY62126EV30 | Статическая память 64К х 16 |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
64 | 16 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| CAV24C04 | Последовательная EEPROM с интерфейсом I2C объемом 4 Кбит, автомобильного исполнения |
|
ON Semiconductor |
SEEPROM |
0 | 8 | 2.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 TSSOP-8 |
| IS64WV10248ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| EV2A16AV | 256K x 16 бит, 3.3 Вольт, асинхронная магниторезистивная RAM (MRAM) память |
|
e2v |
MRAM |
256 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 110 |
|
| IS66WV25616BLL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 256Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 105 |
|
| LP62S16128B-M | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 105 |
CSP-48 |
| MR2A16AV | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 256К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
256 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 105 |
|
| MB85RDP16LX | Ферроэлектрическая память с произвольным доступом (FRAM) объемом 16 Кбит со сверхнизким энергопотреблением и интегрированной функцией счётчика |
|
Fujitsu Microelectronics |
FRAM |
2048 | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 105 |
|
| MR1A16AV | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 105 |
|
| MR0A16AV | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 64К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
64 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 105 |
|
| IS66WV25632BLL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 256Кх32 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 32 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 105 |
|
| IS66WV51216BLL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 105 |
|
| 5576РТ1У | Микросхема радиационностойкого однократно программируемого ПЗУ емкостью 1 Мб для конфигурирования ПЛИС |
|
Миландр |
SBRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 100 |
5134.64-6 |
