Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IS61WV10248BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV51216BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV6416ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 64Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 1.7 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV25616ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| BS616LV8016 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| AS7C31026C | Асинхронная статическая память 64Кх16 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS66WV51216BLL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 105 |
|
| MR256A08BM | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 32К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
32 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| MR1A16AC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BS616UV2019 | Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 1.9 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IS62C51216AL | Ультромалопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| IS62WV20488ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| BH616UV8010 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IS65WV12816BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| IS64WV204816BLL | Быстродействующая асинхронная статическая RAM-память объемом 32 Мбит с напряжением питания 3.3 В |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 16 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| MR2A08A | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 512К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| IS64WV1024BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кx8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| MR2A16AV | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 256К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
256 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 105 |
|
| IS61LV6416 | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64Кx16 с напряжением питания 3.3В |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| MR0A16A | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 64К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
64 | 16 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
