Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| BS616LV8017 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV102416ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| BS616LV2016 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS61WV51216ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV10248ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| IS62WV10248BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 1Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| A64E06161 | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 1Мх16 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 1.7 ... 1.95 | -25 ... 85 |
|
| IS62WV6416BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 64Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61WV25616ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
TQFP-100 |
| IS62WV25616BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS65WV102416ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
TSOPI-48 |
| MR0A08B | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| IDT71V416L | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 16 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| MR1A16AV | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 105 |
|
| BS616UV4016 | Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 1.9 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV20488BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 8 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BH616UV8011 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV12816BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кx16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| MR2A08AC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 512К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| MR4A16B | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 1M х 16 бит | - | Everspin Technologies |
MRAM |
1024 | 16 | 3 ... 3.6 | - |
|
