Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| AT93C46 Automotive | 3-х проводная SEEPROM с раширенным температурным диапазоном и объемом памяти 1К (128 х 8 или 64 х 16) |
|
Atmel Corporation |
SEEPROM |
1 | - | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
| BH62UV8001 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61VF12836A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 128Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 36 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| NAND01GR3B2B | 1Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| GS78116A | Асинхронная статическая память объемом 8Мб (512K x 16) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| CAV24C32 | Последовательная EEPROM с интерфейсом I2C объемом 32 Кбит, автомобильного исполнения |
|
ON Semiconductor |
SEEPROM |
4 | 8 | 2.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 TSSOP-8 |
| M48T37Y | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV51216BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| MTFDDAK256MBD | Твердотельный накопитель данных объемом 256 ГБ |
|
Micron |
Твердотельные диски NAND Flash+PSRAM |
- | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 | - |
| AT25040A | Высокопроизводительная SEEPROM с интерфейсом SPI и объемом памяти 4К |
|
Atmel Corporation |
SEEPROM |
4 | 8 | 1.8 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| M5M5W816WG-55H | 8 Mb SRAM (512К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
| IS61VF102418A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 1Мх18 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 18 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| CY62158DV30 | Статическая память объемом 8Mb (1024K x 8) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| DS2065W | Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 8Мб и напряжением 3.3В |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
1024 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| LP62S16128B-I | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
| AT25DF081 | 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| M25PE80 | 8Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| IS66WV25616ALL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 256Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
|
| K9F5608D0D | 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.4 ... 2.9 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 |
| IS61NVVP25672 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 256Кх72 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 72 | 1.71 ... 1.89 | -40 ... 85 |
|
