Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
DS1220AB Энергонезависимая SRAM емкостью 16Кб Maxim Integrated NVSRAM
2 8 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-24
DS1270W Энергонезависимая SRAM емкостью 16 Мбит с напряжением питания 3,3В Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-36
DS1258W Энергонезависимая SRAM емкостью 128Кx16 и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 16 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-40
DS1258AB Энергонезависимая SRAM емкостью 128Кx16 Maxim Integrated NVSRAM
128 16 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-40
DS1258Y Энергонезависимая SRAM емкостью 128Кx16 Maxim Integrated NVSRAM
128 16 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-40
DS1248Y Энергонезависимая SRAM емкостью 1024кбит со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
128 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1248W Энергонезависимая SRAM емкостью 1024кбит со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
128 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1245W Энергонезависимая SRAM емкостью 1024Кб и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1245AB Энергонезависимая SRAM емкостью 1024Кб Maxim Integrated NVSRAM
128 8 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1245Y Энергонезависимая SRAM емкостью 1024Кб Maxim Integrated NVSRAM
128 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1345W Энергонезависимая SRAM емкостью 1024К со встроенной литиевой батареей и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 PCM-34
DS1345AB Энергонезависимая SRAM емкостью 1024К со встроенной литиевой батареей Maxim Integrated NVSRAM
128 8 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 PCM-34
DS1345Y Энергонезависимая SRAM емкостью 1024К со встроенной литиевой батареей Maxim Integrated NVSRAM
128 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PCM-34
DS1254Y Энергонезависимая SRAM 2Мх8 со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 BGA-168
DS1254W Энергонезависимая SRAM 2Мх8 со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 3 ... 3.7 0 ... 70 BGA-168
MB85RS1MT Ферроэлектрическая память с произвольным доступом (FRAM), объемом 1 Мбит, последовательным интерфейсом SPI в 8-выводном корпусе WL-CSP Fujitsu Components FRAM
131 8 1.8 ... 3.6 -40 ... 85 SOP-8
WLP-8
MB85R4M2T Ферроэлектрическая память с произвольным доступом (FRAM) объёмом 4 Мбит с параллельным интерфейсом, совместимая с низковольтной памятью SRAM Fujitsu Microelectronics FRAM
256 16 1.8 ... 3.6 -40 ... 85 TSOP-44
MB85RDP16LX Ферроэлектрическая память с произвольным доступом (FRAM) объемом 16 Кбит со сверхнизким энергопотреблением и интегрированной функцией счётчика Fujitsu Microelectronics FRAM
2048 8 1.65 ... 1.95 -40 ... 105 SON-8
AS6C8016 Ультронизкопотребляющая статическая память 512К х 16 Alliance Memory Low Power SRAM
512 16 2.7 ... 5.5 -40 ... 85 TFBGA-48
TSOPII-44
AS6C4016 Ультронизкопотребляющая статическая память 256К х 16 Alliance Memory Low Power SRAM
256 16 2.7 ... 5.5 -40 ... 85 TFBGA-48
TSOPII-44
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019