IXGH22N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 40А, технология NPT

 

Блок-схема

IXGH22N170, IGBT-транзистор, 1700 В, 40А, технология NPT

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES 1700
Рабочий ток: IC 22
Рабочий ток: При TC,°C 90
VCE(sat) 2
td(on) (тип.),нс 50
tr (тип.),нс 55
EON (тип.),мДж 2
PD,Вт 210
FWD Нет
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-247AD
Datasheet
 
IXGx22N170 (60.3 Кб), 16.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXGx22N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 40А, технология NPT (60.3 Кб), 16.02.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1016
Дата публикации: 16.02.2012 11:50
Дата редактирования: 16.02.2012 11:51


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019