Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IKA15N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 14 25 1.6 17 7 150 16 0.13 0.04 33.3 Да -40 ... 175 TO-220FP
IKA15N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 14 25 1.65 17 7 160 10 0.12 0.05 33.3 Да -40 ... 175 TO-220FP
IKP08N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 8А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 11 100 1.6 10 5 116 20 0.07 0.02 70 Да -40 ... 175 TO-220
IKP08N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 8А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 11 100 1.65 11 5 115 15 0.07 0.03 70 Да -40 ... 175 TO-220
IKP15N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 18 100 1.6 17 7 150 16 0.13 0.04 105 Да -40 ... 175 TO-220
IKP15N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 30 25 1.65 17 7 160 10 0.12 0.05 105 Да -40 ... 175 TO-220
IKP40N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 74 25 1.6 19 13 160 16 0.36 0.1 255 Да -40 ... 175 TO-220
IKP40N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 74 25 1.65 22 12 165 13 0.39 0.12 255 Да -40 ... 175 TO-220
IKW30N65EL5 IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 30 - 1.05 33 11 308 51 0.47 1.35 227 Да -40 ... 175 TO-247
IKW30N65ES5 IGBT-транзистор семейства TRENCHSTOP™ 5 S5 на 650 В с быстровосстанавливающимся встречно-параллельным диодом, рассчитанным на весь диапазон рабочих токов Infineon Technologies IGBT
 650 39.5 100 1.35 17 12 124 30 0.56 0.32 188 Да -40 ... 175 TO-247
IKW30N65NL5 IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 30 - 1.05 59 20 283 67 0.56 1.35 227 Да -40 ... 175 TO-247
IKW40N65ES5 IGBT-транзистор семейства TRENCHSTOP™ 5 S5 на 650 В с быстровосстанавливающимся встречно-параллельным диодом, рассчитанным на весь диапазон рабочих токов Infineon Technologies IGBT
 650 50 100 1.35 19 18 130 23 0.86 0.4 230 Да -40 ... 175 TO-247
IKW40N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 74 25 1.6 19 13 160 16 0.36 0.1 255 Да -40 ... 175 TO-247
IKW40N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 74 25 1.65 22 12 165 13 0.39 0.12 255 Да -40 ... 175 TO-247
IKW50N65ES5 IGBT-транзистор семейства TRENCHSTOP™ 5 S5 на 650 В с быстровосстанавливающимся встречно-параллельным диодом, рассчитанным на весь диапазон рабочих токов Infineon Technologies IGBT
 650 60.5 100 1.35 20 27 127 34 1.23 0.55 274 Да -40 ... 175 TO-247
IKW50N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 56 100 1.6 21 15 175 18 0.49 0.16 305 Да -40 ... 175 TO-247
IKW50N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 56 100 1.65 21 15 180 18 0.52 0.18 305 Да -40 ... 175 TO-247
IKW75N65EL5 IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 75 - 1.1 40 11 275 50 1.61 3.2 536 Да -40 ... 175 TO-247
IKW75N65ES5 IGBT-транзистор семейства TRENCHSTOP™ 5 S5 на 650 В с быстровосстанавливающимся встречно-параллельным диодом, рассчитанным на весь диапазон рабочих токов Infineon Technologies IGBT
 650 80 100 1.42 40 46 144 41 2.4 0.95 395 Да -40 ... 175 TO-247
IKZ75N65EL5 IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 75 - 1.1 120 23 275 50 1.57 3.2 536 Да -40 ... 175 TO-247-4
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники