Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IRG7PH35U | Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В |
|
International Rectifier (IRF) |
IGBT |
1200 | 35 | 100 | 1.9 | 30 | 15 | 160 | 80 | 1.8 | 1.14 | 210 | Нет | -55 ... 175 |
TO-247AC |
| IRG7PH35UD | Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод |
|
International Rectifier (IRF) |
IGBT |
1200 | 35 | 100 | 1.9 | 30 | 15 | 160 | 80 | 1.75 | 1.12 | 180 | Да | -55 ... 175 |
TO-247AC |
| IRG7PH42U | Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В |
|
International Rectifier (IRF) |
IGBT |
1200 | 60 | 100 | 1.7 | 25 | 32 | 229 | 63 | 3.186 | 2.153 | 385 | Нет | -55 ... 175 |
TO-247AC |
| IRG7PH42UD | Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод |
|
International Rectifier (IRF) |
IGBT |
1200 | 45 | 100 | 1.7 | 25 | 32 | 229 | 63 | 2.978 | 1.968 | 320 | Да | -55 ... 150 |
TO-247AC |
| IRG7PH46U | Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В |
|
International Rectifier (IRF) |
IGBT |
1200 | 75 | 100 | 1.7 | 45 | 40 | 410 | 45 | 2.56 | 1.78 | 469 | Нет | -55 ... 175 |
TO-247AC |
| IRG7PH46UD | Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод |
|
International Rectifier (IRF) |
IGBT |
1200 | 57 | 100 | 1.7 | 45 | 40 | 410 | 45 | 2.61 | 1.845 | 390 | Да | -55 ... 150 |
TO-247AC |
| IRG7PH50U | Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В |
|
International Rectifier (IRF) |
IGBT |
1200 | 90 | 100 | 1.7 | 35 | 40 | 430 | 45 | 3.6 | 2.2 | 556 | Нет | -55 ... 175 |
TO-247AC |
| IRG7PSH50UD | Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод |
|
International Rectifier (IRF) |
IGBT |
1200 | 70 | 100 | 1.7 | 35 | 40 | 430 | 45 | 3.6 | 2.2 | 556 | Да | -55 ... 150 |
|
| IRGP4066D | Биполярные транзисторы с изолированным затвором со встроенным ограничительным диодом с накоплением заряда |
|
International Rectifier (IRF) |
IGBT |
600 | 90 | 100 | 1.7 | 50 | 70 | 200 | 60 | 2.465 | 2.155 | 454 | Да | -55 ... 175 |
TO-247AC |
| IRGPS4067D | Биполярные транзисторы с изолированным затвором со встроенным ограничительным диодом с накоплением заряда |
|
International Rectifier (IRF) |
IGBT |
600 | 160 | 100 | 1.7 | 80 | 70 | 190 | 40 | 5.75 | 3.43 | 750 | Да | -55 ... 175 |
|
| IXA12IF1200HB | IGBT-транзистор, 1200 В, 20 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 13 | 100 | 1.8 | 70 | 40 | 250 | 100 | 1.1 | 1.1 | 85 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXA12IF1200PB | IGBT-транзистор, 1200 В, 20 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 13 | 100 | 1.8 | 70 | 40 | 250 | 100 | 1.1 | 1.1 | 85 | Да | -55 ... 150 |
TO-220 |
| IXA12IF1200PC | IGBT-транзистор, 1200 В, 20 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 13 | 100 | 1.8 | 70 | 40 | 250 | 100 | 1.1 | 1.1 | 85 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXA12IF1200TC | IGBT-транзистор, 1200 В, 20 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 13 | 100 | 1.8 | 70 | 40 | 250 | 100 | 1.1 | 1.1 | 85 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXA17IF1200HJ | IGBT-транзистор, 1200 В, 28 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 18 | 90 | 1.8 | 70 | 40 | 250 | 100 | 1.55 | 1.7 | 100 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXA20I1200PB | IGBT-транзистор, 1200 В, 33 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 22 | 90 | 1.8 | 70 | 40 | 250 | 100 | 1.55 | 1.7 | 130 | Нет | -55 ... 150 |
TO-220 |
| IXA20IF1200HB | IGBT-транзистор, 1200 В, 38 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 22 | 100 | 1.8 | 70 | 40 | 250 | 100 | 1.55 | 1.7 | 165 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXA20PG1200DHGLB | IGBT-транзистор, 1200 В, 32 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 23 | 80 | 1.8 | 70 | 40 | 250 | 100 | 1.55 | 1.7 | 130 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXA27IF1200HJ | IGBT-транзистор, 1200 В, 43 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 27 | 90 | 1.8 | 70 | 40 | 250 | 100 | 2.5 | 3 | 150 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXA30PG1200DHGLB | IGBT-транзистор, 1200 В, 43 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 30 | 80 | 1.9 | 70 | 40 | 250 | 100 | 2.5 | 3 | 150 | Да | -55 ... 150 |
|
