Компоненты группы SRAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
| Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| K6R4004C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 1Мх4 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
1024 | 4 | 10 | 75 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| K6R4016V1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 256Кх16 |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 8 | 80 | 5 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| K6R4016C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 256Кх16 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 10 | 65 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| K6R4008V1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 3.3В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 8 | 90 | 5 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| K6R4008C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 75 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV204816BLL | Быстродействующая асинхронная статическая RAM-память объемом 32 Мбит с напряжением питания 3.3 В |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 16 | 12 | 110 | - | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| IS61WV204816BLL | Быстродействующая асинхронная статическая RAM-память объемом 32 Мбит с напряжением питания 3.3 В |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 16 | 10 | 90 | - | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BH62UV1610 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 55 | 12 | 30 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BH62UV1611 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 55 | 12 | 30 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BH62UV1601 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
2048 | 8 | 55 | 12 | 30 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BH62UV4000 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 10 | 10 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BH62UV8001 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 55 | 12 | 15 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BH616UV8010 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 12 | 15 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| BH616UV8011 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 12 | 15 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV12816BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кx16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 15 | 25 | 400 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| IS63LV1024 | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кx8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 8 | 170 | 100 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS63WV1024BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кx8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 12 | 45 | 50 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV1024BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кx8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 15 | 45 | 50 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| IS61WV12816DALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 8 | 70 | 70 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| IS61LV12824 | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кх24 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 24 | 8 | 240 | 200 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
