Компоненты группы SRAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
R1LV1616R-5S | 16 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM (1M x 16 бит / 2M x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 55 | 25 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
GS74104A | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (1M x 4) | GSI Technology |
High Speed SRAM |
1024 | 4 | 8 | 120 | 2 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
IS61LPD102418A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх18 | ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 18 | 2.6 | 500 | 125 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
K6R4004C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 1Мх4 с напряжением питания 5.0В | Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
1024 | 4 | 10 | 75 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
A67L0636 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 1Мх36 | AMIC Technology |
High Speed SRAM |
1024 | 36 | 2.6 | 460 | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |
|
IS61VPD102418A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх18 | ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 18 | 2.6 | 500 | 125 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
AS6C8008 | Ультронизкопотребляющая статическая память 1024К х 8 | Alliance Memory |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 55 | 30 | 6 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
R1LV0808ASB-7SI | 8 Мб SRAM (1024К х 8бит) семейства Advanced LPSRAM | Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 70 | 20 | - | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
IS61LPS102418A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх18 | ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 18 | 2.6 | 500 | 125 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
R1LV0808ASB-5SI | 8 Мб SRAM (1024К х 8бит) семейства Advanced LPSRAM | Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 55 | 20 | - | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
A64S06161A | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 1Мх16 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 70 | 2 | 100 | 2.7 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
|
A64S06162A | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 1Мх16 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 70 | 2 | 100 | 2.7 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
|
IS61QDB21M36 | Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (1Mx36) | ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 36 | 3 | 700 | 200 | 1.71 ... 1.89 | 0 ... 70 |
|
|
HM628100I-5SL | 8Мб SRAM (1024К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном | Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 55 | 20 | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IS61VPS102418A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх18 | ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 18 | 2.6 | 500 | 125 | 2.375 ... 2.7 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
A64E06161 | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 1Мх16 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 70 | 15 | 100 | 1.7 ... 1.95 | -25 ... 85 |
|
|
AS7C4096A | Асинхронная статическая память 512Кх8 и напряжением питания 5В | Alliance Memory |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 20 | 1 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IS61VPS51236A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх36 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 2.6 | 600 | 125 | 2.375 ... 2.7 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
LP62E16512-T | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх16 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 70 | 3 | 0.5 | 1.65 ... 2.2 | -25 ... 85 |
CSP-48 |
|
A63P9336 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх36 | AMIC Technology |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 2.6 | 400 | 2 | 2.375 ... 2.625 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |