Компоненты группы SRAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
| Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IS61C5128AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 12 | 55 | 300 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| K6R4008V1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 3.3В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 8 | 90 | 5 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| GS74108A | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512K x 8) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 8 | 120 | 2 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| GS72108A | Асинхронная статическая память объемом 2Мб (256Kx8) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
256 | 8 | 7 | 135 | 2 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61C5128AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 50 | 200 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| AS7C34096A | Асинхронная статическая память 512Кх8 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 20 | 1 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| K6R4008C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 75 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS61C5128AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 50 | 120 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS61WV5128ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 8 | 25 | 200 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| IDT71V424S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 180 | 5 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IS61LV2568L | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 8 | 8 | 50 | 700 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AS7C34098A | Асинхронная статическая память 256Кх16 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 10 | 20 | 1 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS65C6416AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64х16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 35 | 15 | 10 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| AS7C513B | Асинхронная статическая память 32Кх16 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
32 | 16 | 10 | 20 | 1 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| GS71116A | Асинхронная память объемом 1Мб (64Kx16) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 7 | 145 | 2 | 2.7 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
| IS61C3216AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 32х16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
32 | 16 | 12 | 45 | 350 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| K6R4016C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 256Кх16 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 10 | 65 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS61C6416AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64х16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 12 | 45 | 350 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| AS7C1026B | Асинхронная статическая память 64Кх16 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 10 | 20 | 1 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
