Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 10 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
NAND04GW3C2B 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
4 8 2048 256 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
KFG1216Q2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
FBGA-67
NAND256W3A 256Мбит 3-вольтовая NAND Flash Numonyx NAND Flash
0.256 8 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 TSOPI-48
VFBGA-55
S30MS512R 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
0.512 8 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 TSOPI-48
NAND64GW3D4A 64Гбит (4 кристалла по 16Гбит) 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
64 8 4096 512 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
KFM1216Q2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
NAND128W3A 128Мбит 3-вольтовая NAND Flash Numonyx NAND Flash
0.128 8 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 TSOPI-48
S30MS01GP 1Гбит (64М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
1 16 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 FBGA-137
TSOPI-48
NAND32GW3D4A 32Гбит (2 кристалла по 16Гбит) 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
32 8 4096 512 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
KFW4G16Q2A 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
4 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
MT29F1G16ABB 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash Micron NAND Flash
1 16 2048 128 50 - - 1.65 ... 1.95 20 -40 ... 85 FBGA-63
S30MS01GP 1Гбит (128М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
1 8 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 FBGA-137
TSOPI-48
KFH2G16Q2A 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
2 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
MT29F1G08ABB 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash Micron NAND Flash
1 8 2048 128 50 - - 1.65 ... 1.95 20 -40 ... 85 FBGA-63
S30MS512P 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
0.512 16 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 FBGA-137
TSOPI-48
NAND16GW3D2A 16Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
16 8 4096 512 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
KFG1G16Q2A 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
1 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
S30MS512P 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
0.512 8 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 FBGA-137
TSOPI-48
NAND16GW3C4B 16Гбит (2 кристалла по 8Гбит) 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
16 8 2048 256 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
KFG1G16Q2B 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
1 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 10 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019