Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 10 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
KFG1216Q2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
FBGA-67
HY27UF164G2B 4 Гбит (256М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
4 16 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
KFH2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
2 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
KFG1216U2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 25 -40 ... 85 FBGA-63
KFG1G16Q2C 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
1 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
NAND02GW4B2D 2Гбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
2 16 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
KFM4GH6Q4M 4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
4 16 4096 256 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 50 -30 ... 85 FBGA-63
KFG2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
2 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
KFG1216U2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
FBGA-67
S30ML256P 256Мбит (16М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P Spansion NAND Flash
0.256 16 512 512 50 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TSOPI-48
VFBGA-55
KFG1G16Q2M 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
1 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
HY27US16122B 512 Мбит (32М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.512 16 512 16 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
KFH1G16Q2M 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
1 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 25 -30 ... 85 FBGA-63
S30MS512R 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
0.512 16 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 TSOPI-48
KFM1G16Q2B 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
1 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
HY27SF162G2B 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
2 16 2048 128 45 - - 1.7 ... 1.95 20 0 ... 70 TSOPI-48
KFN8GH6Q4M 8Гбит (512М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
8 16 4096 512 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 50 -30 ... 85 FBGA-63
KFH4G16Q2M 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
4 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
KFW8G16Q2M 8Гб (512М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
8 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
HY27US16281A 128 Мбит (8М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.128 16 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 0 ... 70 TSOPI-48
USOPI-48
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 10 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019