Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 10 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
S34SL04G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
4 64 2048 128 30 - ONFI 2.7 ... 3.6 32 -40 ... 85 BGA-63
S34SL02G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 2 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
2 64 2048 128 30 - ONFI 2.7 ... 3.6 32 -40 ... 85 BGA-63
S34SL01G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 1 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
1 64 2048 128 25 - ONFI 2.7 ... 3.6 32 -40 ... 85 BGA-63
TC58CVG2S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит Toshiba NAND Flash
4 8 4096 - - - SPI 3 ... 3.3 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CYG2S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит Toshiba NAND Flash
4 8 4096 - - - SPI 1.675 ... 1.8 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CVG0S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит Toshiba NAND Flash
1 8 2048 - - - SPI 3 ... 3.3 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CYG0S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит Toshiba NAND Flash
1 8 2048 - - - SPI 1.675 ... 1.8 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CVG1S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит Toshiba NAND Flash
2 8 2048 - - - SPI 3 ... 3.3 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CYG1S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит Toshiba NAND Flash
2 8 2048 - - - SPI 1.675 ... 1.8 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
NAND08GW3C2B 8Гбит 3-вольтовая, 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
8 8 2048 256 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 84 TSOPI-48
ULGA-52
NAND08GW3D2A 8Гбит 3-вольтовая, 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
8 8 4096 512 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
NAND08GW3B4C 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
8 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 ULGA-52
NAND08GW3B2A 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
8 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
NAND08GW3B2C 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
8 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
NAND08GR3B2C 8Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
8 8 2048 128 45 - - 1.7 ... 1.95 20 -40 ... 85 ULGA-52
NAND08GR3B4C 8Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
8 8 2048 128 45 - - 1.7 ... 1.95 20 -40 ... 85 ULGA-52
KFN8GH6Q4M 8Гбит (512М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
8 16 4096 512 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 50 -30 ... 85 FBGA-63
KFH8GH6Q4M 8Гбит (512М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
8 16 4096 512 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 50 -30 ... 85 FBGA-63
KFH8GH6U4M 8Гбит (512М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
8 16 4096 512 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 55 -40 ... 85 FBGA-63
MT29H8G08 8Гбит (1024М х 8 бит) High Speed NAND Flash Micron NAND Flash
8 8 4096 512 6 - - 2.7 ... 3.6 - 0 ... 70 VBGA-100
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 10 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019