Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 10 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
MT29F1G16ABB 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash Micron NAND Flash
1 16 2048 128 50 - - 1.65 ... 1.95 20 -40 ... 85 FBGA-63
MT29F1G08ABB 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash Micron NAND Flash
1 8 2048 128 50 - - 1.65 ... 1.95 20 -40 ... 85 FBGA-63
K9F2G08R0A 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
2 8 2048 128 25 - - 1.65 ... 1.95 20 -40 ... 85 FBGA-63
K9F5608R0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.256 8 512 16 50 - - 1.65 ... 1.95 20 -40 ... 85 FBGA-63
K9F1208R0C 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.512 8 512 16 42 - - 1.65 ... 1.95 20 -40 ... 85 FBGA-63
TC58CYG2S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит Toshiba NAND Flash
4 8 4096 - - - SPI 1.675 ... 1.8 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CYG1S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит Toshiba NAND Flash
2 8 2048 - - - SPI 1.675 ... 1.8 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CYG0S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит Toshiba NAND Flash
1 8 2048 - - - SPI 1.675 ... 1.8 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
KFG1216Q2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
FBGA-67
S30MS512R 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
0.512 8 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 TSOPI-48
KFM1216Q2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
S30MS01GP 1Гбит (64М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
1 16 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 FBGA-137
TSOPI-48
KFW4G16Q2A 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
4 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
S30MS01GP 1Гбит (128М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
1 8 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 FBGA-137
TSOPI-48
KFH2G16Q2A 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
2 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
S30MS512P 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
0.512 16 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 FBGA-137
TSOPI-48
KFG1G16Q2A 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
1 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
S30MS512P 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
0.512 8 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 FBGA-137
TSOPI-48
KFG1G16Q2B 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
1 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
KFM1G16Q2B 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
1 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 10 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019