Компоненты группы Flash
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
TS °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| AT26DF161 | Flash память для хранения программного кода из семейства DataFlash емкостью 16 Мбит, напряжением питания 2.7В и последовательным интерфейсом доступа |
|
Atmel Corporation |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 VDFN-8 |
| AT45DCB004C | 4 МB, 2.7В DataFlash® Cards с последовательным интерфейсом |
|
Atmel Corporation |
Flash Card |
32768 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
|
| AT26DF161A | Последовательная Flash память семейства DataFlash размером 16 Мбит для хранения кода прошивки |
|
Atmel Corporation |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 VDFN-8 |
| AT26DF321 | Flash память для хранения программного кода из семейства DataFlash емкостью 32 Мбит, напряжением питания 2.7В и последовательным интерфейсом доступа |
|
Atmel Corporation |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-16 SOIC-8 VDFN-8 |
| AT45DB081B | 8 Мбит, 2.5- или 2.7-вольтовая ИС Flash памяти семейства DataFlash® |
|
Atmel Corporation |
Serial Flash |
- | 8 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-28 |
| S34SL01G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 1 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи |
|
Cypress |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
|
| S26KL512S | Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 512 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® |
|
Cypress |
NOR Flash |
64 | 32 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 | - |
|
| S26KL256S | Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 256 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® |
|
Cypress |
NOR Flash |
32 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 | - |
|
| S34SL02G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 2 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи |
|
Cypress |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
|
| S26KL128S | Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 128 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® |
|
Cypress |
NOR Flash |
16 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 | - |
|
| S34SL04G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи |
|
Cypress |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
|
| S26KS512S | Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 512 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® |
|
Cypress |
NOR Flash |
64 | 32 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 125 | - |
|
| S26KS256S | Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 256 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® |
|
Cypress |
NOR Flash |
32 | 16 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 125 | - |
|
| S26KS128S | Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 128 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® |
|
Cypress |
NOR Flash |
16 | 8 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 125 | - |
|
| HY27UH08AG5M | 16 Гбит (2Г х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
TSOPI-48 |
| HY27UF161G2A | 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
TSOPI-48 |
| HY27UF084G2B | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
TSOPI-48 |
| HY27US16121B | 512 Мбит (32М х 16 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
TSOPI-48 |
| HY27UH08AGDM | 16 Гбит (2Г х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
TLGA-52 |
| HY27SF082G2B | 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | 0 ... 70 | - |
TSOPI-48 |
