Компоненты группы Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
TS (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 14 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
TS
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                     
M45PE80 8Мб, 50МГц низкопотребляющая постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI Numonyx Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
VFQFPN-8
KFW4G16Q2A 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
MT29F1G08ABB 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash Micron NAND Flash
- - 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 - FBGA-63
S30MS512P 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 - FBGA-137
TSOPI-48
AT25F512B 512 кбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт или 32 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
UDFN-8
NAND16GW3D2A 16Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
M45PE40 2Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI Numonyx Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
VFQFPN-8
KFH2G16Q2A 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
S30MS512P 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 - FBGA-137
TSOPI-48
AT45DCB004C 4 МB, 2.7В DataFlash® Cards с последовательным интерфейсом Atmel Corporation Flash Card
32768 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - DataFlash Card-7
NAND16GW3C4B 16Гбит (2 кристалла по 8Гбит) 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
M45PE20 2Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI Numonyx Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
VFQFPN-8
KFG1G16Q2A 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
AT25DQ321 32 Мбит, последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт) стирание, побайтовая или постраничная (1...256 байт) запись, функция записи/чтения четырех бит за один такт Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-16-Wide
SOIC (EIAJ) 8
UDFN-8
S30ML128P 128Мбит (8М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P Spansion NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
VFBGA-55
AT45DCB008D 8 МB, 2.7В DataFlash® Cards Atmel Corporation Flash Card
65536 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - DataFlash Card-7
NAND08GW3D2A 8Гбит 3-вольтовая, 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
M45PE16 16Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI Numonyx Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
VFQFPN-8
KFG1G16Q2B 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
AT25DQ161 16 Мбит, последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт) стирание, побайтовая или постраничная (1...256 байт) запись, функция записи/чтения четырех бит за один такт Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
SOIC (EIAJ) 8
UDFN-8
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 14 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019