Компоненты группы Flash
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
TS °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| MT29F8G08FAC | 8Гбит (1024М х 8 бит) 3-вольтовая NAND Flash |
|
Micron |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
TSOPI-48 |
| KFK8G16Q2M | 8Гб (512М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 | - |
FBGA-63 |
| KFW8G16Q2M | 8Гб (512М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 | - |
FBGA-63 |
| AT45DB081B | 8 Мбит, 2.5- или 2.7-вольтовая ИС Flash памяти семейства DataFlash® |
|
Atmel Corporation |
Serial Flash |
- | 8 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-28 |
| AT26DF081A | 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 |
| AT25DF081A | 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 |
| AT25DL081 | 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 |
| AT25DF081 | 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 |
| AT45DCB008D | 8 МB, 2.7В DataFlash® Cards |
|
Atmel Corporation |
Flash Card |
65536 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
|
| K9K8G08U0A | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
TSOPI-48 |
| MT29F8G08BAA | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash |
|
Micron |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
TSOPI-48 |
| HY27UG088G5B | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
TSOPI-48 |
| MT29F8G08DAA | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash |
|
Micron |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
TSOPI-48 |
| HY27UG088GDB | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
ULGA-52 |
| K9K8G08U1A | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
ULGA-52 |
| HY27UG088G5M | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
TSOPI-48 |
| K9L8G08U1A | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
ULGA-52 |
| K9F8G08B0M | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.5 ... 2.9 | -40 ... 85 | - |
TSOPI-48 |
| HY27UG088GDM | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
ULGA-52 |
| K9F8G08U0M | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
TSOPI-48 ULGA-52 |
