Компоненты группы Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
TS (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 14 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
TS
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                     
MT29F8G08FAC 8Гбит (1024М х 8 бит) 3-вольтовая NAND Flash Micron NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - TSOPI-48
KFK8G16Q2M 8Гб (512М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
KFW8G16Q2M 8Гб (512М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
AT45DB081B 8 Мбит, 2.5- или 2.7-вольтовая ИС Flash памяти семейства DataFlash® Atmel Corporation Serial Flash
- 8 2.5 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-28
CASON-8
CBGA-14 (3x5)
TSOP28
AT26DF081A 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
AT25DF081A 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
SOIC (EIAJ) 8
UDFN-8
AT25DL081 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт Adesto Technologies Serial Flash
- 8 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 - SOIC-8
UDFN-8
WLCSP-8
AT25DF081 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись Adesto Technologies Serial Flash
- 8 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 - SOIC-8
UDFN-8
WLCSP-11
AT45DCB008D 8 МB, 2.7В DataFlash® Cards Atmel Corporation Flash Card
65536 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - DataFlash Card-7
K9K8G08U0A 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
MT29F8G08BAA 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Micron NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - TSOPI-48
HY27UG088G5B 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - TSOPI-48
MT29F8G08DAA 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Micron NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - TSOPI-48
HY27UG088GDB 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - ULGA-52
K9K8G08U1A 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - ULGA-52
HY27UG088G5M 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - TSOPI-48
K9L8G08U1A 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - ULGA-52
K9F8G08B0M 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.5 ... 2.9 -40 ... 85 - TSOPI-48
HY27UG088GDM 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - ULGA-52
K9F8G08U0M 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
ULGA-52
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 14 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019