AT45DB081B 8 Мбит, 2.5- или 2.7-вольтовая ИС Flash памяти семейства DataFlash®
|
Блок-схема  Увеличить Группа компонентов Serial FlashОсновные параметры
Общее описаниеМикросхема снята с производства, рекомендованная замена: AT45DB081D. AT45DB081B - 2.5 В, или 2.7 В ИС Flash памяти с последовательным интерфейсом, и идеально подходит для широкого спектра цифровых голосовых приложений, приложений визуализации, и приложений хранения программного кода и данных. 8 650 752 бит памяти данной ИС организованы в 4096 страниц по 264 байта каждая. Кроме памяти общего назначения ИС, также, имеет два SRAM буфера данных по 264 байта. Буферы обеспечивают возможность приема данных в режиме перепрограммирования страницы основной памяти, или считывание, или запись непрерывных потоков данных. Режим эмуляции EEPROM (с побитным или побайтным изменением) прост в применении, благодаря встроенной, трехступенчатой системе команд Read - Modify - Write. В отличие от стандартных типов Flash памяти, обращение к которым, происходит произвольным образом в режиме многочисленных адресных строк и при помощи параллельного интерфейса, память типа DataFlash использует последовательный интерфейс для обращения к своим данным в режиме последовательного доступа. ИС поддерживает SPI - режимы типа 0 и 3. Простой последовательный интерфейс облегчает разводку интегральной структуры, увеличивает отказоустойчивость системы, минимизирует коммутационные шумы, а также, уменьшает размер корпуса и число необходимых активных выводов. ИС оптимизирована для использования в широком круге коммерческих и индустриальных приложений, для которых существенную роль играют высокая плотность размещения, малое число выводов, низкое напряжение питания, и низкое энергопотребление. ИС функционирует с тактовыми частотами, вплоть до 20 МГц при типовом потребляемом токе в режиме активного чтения 4 мА. Для обеспечения удобства внутрисистемного перепрограммирования, ИС AT45DB081B не требует высоких входных напряжений в режиме программирования. ИС питается от однополярного источника с напряжением от 2.5 В до 3.6 В, или от 2.7 В до 3.6 В, как в режиме программирования, так и в режиме чтения. Выборка ИС AT45DB081B производится по входу CS (активный низкий), а доступ к ИС обеспечивается посредством 3-х проводного последовательного интерфейса, состоящего из сигнала последовательного входа (SI), последовательного выхода (SO) и последовательного тактового сигнала (SCK). Все циклы программирования имеют встроенный контроль временных характеристик, а для проведения программирования предварительный цикл стирания не требуется. При поставке ИС от Atmel, старшая значащая страница массива памяти может не быть чистой. Другими словами, содержимое последней страницы может быть заполнено содержимым, отличным от FFH. |
 AT45DB081B (537.8 Кб), 18.04.2008
|
Datasheet
AT45DB081B Единственная 2.5 В, или 2.7 В, 8 Мбит ИС Flash памяти семейства DataFlash® (537.8 Кб), 18.04.2008
| Автор документа: Жанна Свирина, Кол-во просмотров: 2758 |
Дата публикации: 18.04.2008 09:16 Дата редактирования: 21.12.2012 09:45 |
