+ MRF8P8300HSR6, MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET)
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

MRF8P8300HSR6 MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET)

 

Блок-схема

MRF8P8300HSR6, MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET)
Увеличить

Группа компонентов

LDMOS транзисторы

Основные параметры

Тактовая частота: F (мин.),МГц 750
Тактовая частота: F (макс.),МГц 820
VDS,В 28
P1dB,дБм 55.3
POUT,Вт 96
Gain (тип.),дБ 20.9
µD,% 35.7
Согласованный Да
Корпус NI-1230-4S

Общее описание
Datasheet
 
MRF8P8300 (483.5 Кб), 25.05.2015

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

MRF8P8300 MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) (483.5 Кб), 25.05.2015



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 403 		Дата публикации: 25.05.2015 11:49
Дата редактирования: 25.05.2015 11:49

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники