Компоненты группы High Speed SRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
Время
выборки (нс)
Ток потребления: ICC (мА)
Ток потребления: ICC Shutdown (мкА)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 16 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация Время
выборки
нс
Ток потребления VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
ICC
мА
ICC Shutdown
мкА
                         
IDT71256SA Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) IDT High Speed SRAM
32 8 12 160 5 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 DIP-28
SOJ-28 (300mil)
TSOP-28
IS61QDB42M36 Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 72Мб (2Mx36) ISSI High Speed SRAM
2048 36 3.3 850 400 1.71 ... 1.89 0 ... 70 FBGA-165
IS61QDB44M18 Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 72Мб (4Mx18) ISSI High Speed SRAM
4096 18 3.3 850 400 1.71 ... 1.89 0 ... 70 FBGA-165
IS61QDB22M36 Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 72Мб (2Mx36) ISSI High Speed SRAM
2048 36 3.3 800 200 1.71 ... 1.89 0 ... 70 FBGA-165
IS61QDB24M18 Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 72Мб (4Mx18) ISSI SRAM
High Speed SRAM
4096 18 3.3 800 200 1.71 ... 1.89 0 ... 70 FBGA-165
IS61QDB41M36 Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (1Mx36) ISSI High Speed SRAM
1024 36 5 500 200 1.71 ... 1.89 0 ... 70 FBGA-165
IS61QDB42M18 Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (2Mx18) ISSI High Speed SRAM
2048 18 5 500 200 1.71 ... 1.89 0 ... 70 FBGA-165
IS61QDB21M36 Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (1Mx36) ISSI High Speed SRAM
1024 36 3 700 200 1.71 ... 1.89 0 ... 70 FBGA-165
IS61QDB22M18 Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (2Mx18) ISSI High Speed SRAM
2048 18 3 700 200 1.71 ... 1.89 0 ... 70 FBGA-165
GS71116A Асинхронная память объемом 1Мб (64Kx16) GSI Technology High Speed SRAM
64 16 7 145 2 2.7 ... 3.3 -40 ... 85 FBGA-48
SOJ-44
TSOPII-44
IDT71T016SA Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 2.5В IDT High Speed SRAM
64 16 10 160 5 -40 ... 85 2.375 ... 2.625 FBGA-48
SOJ-44
TSOP-44
IDT71V016SA Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 3.3В IDT High Speed SRAM
64 16 10 160 5 -40 ... 85 3 ... 3.6 FBGA-48
SOJ-44
TSOP-44
GS71108A Асинхронная память объемом 1Mb (128Kx8) GSI Technology High Speed SRAM
128 8 7 140 1 2.7 ... 3.3 -40 ... 85 FBGA-48
SOJ-32
TSOPII-32
CY7C4142KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (4M x36), 1066 МГц Cypress High Speed SRAM
4096 36 1875 4500 - 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
CY7C4021KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (SRAM) QDR®-IV 72 Мбит (4M x18), 667 МГц Cypress High Speed SRAM
4096 18 1.5 2500 - 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
CY7C4041KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (SRAM) QDR®-IV 72 Мбит (2M x 36), 667 МГц Cypress High Speed SRAM
2048 36 1.5 3200 - 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
CY7C4022KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 72 Мбит (4 M × 18), 1066 МГц Cypress High Speed SRAM
4096 18 1.875 4100 - 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
CY7C4042KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 72 Мбит (2 M × 36), 1066 МГц Cypress High Speed SRAM
2048 36 1.875 4500 - 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
CY7C4121KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (HP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (8M x18), 667 МГц Cypress High Speed SRAM
8192 18 3 2500 - 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
CY7C4141KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (HP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (4M x36), 667 МГц Cypress High Speed SRAM
4096 36 3 3200 - 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 16 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019