IXFN26N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

 

Блок-схема

IXFN26N100P, N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 1000
RDS(ON) 1.8 В,мОм 390
RDS(ON) 2,7 В,мОм 390
RDS(ON) 2,5 В,мОм 390
RDS(ON) 4.5 В,мОм 390
RDS(ON) 10 В,мОм 390
ID 23
PD,Вт 595
Корпус SOT-227 B

Общее описание

Datasheet
 
IXFN26N100P (110 Кб), 14.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFN26N100P Polar Power MOSFET HiPerFET (110 Кб), 14.02.2009




Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 409 Дата публикации: 14.02.2009 18:00
Дата редактирования: 17.01.2012 09:09


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019