IXFR24N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

 

Блок-схема

IXFR24N80P, N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 800
RDS(ON) 1.8 В,мОм 420
RDS(ON) 2,7 В,мОм 420
RDS(ON) 2,5 В,мОм 420
RDS(ON) 4.5 В,мОм 420
RDS(ON) 10 В,мОм 420
ID 13
PD,Вт 208
Корпус ISOPLUS247

Общее описание

Особенности:

  • Лавинная устойчивость
  • Высокая надёжность
  • Устойчивость к высокому dv/dt
  • Технология HiPerFET™ - встроенный быстрый диод
  • Низкое значение RDS(on)
  • Q2-класс: очень низкий заряд затвора, очень быстрое переключение
  • Q-класс: низкий заряд затвора, быстрое переключение
Datasheet
 
IXFR24N80P (94.1 Кб), 16.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFR24N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) (94.1 Кб), 16.01.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 368
Дата публикации: 16.01.2012 08:22
Дата редактирования: 16.01.2012 08:22


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019