Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXTN30N100L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA)

 

Блок-схема

IXTN30N100L, N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 1000
RDS(ON) 1.8 В,мОм 450
RDS(ON) 2,7 В,мОм 450
RDS(ON) 2,5 В,мОм 450
RDS(ON) 4.5 В,мОм 450
RDS(ON) 10 В,мОм 450
ID,А 30
PD,Вт 800
Корпус SOT-227 B

Общее описание
Datasheet
 
IXTN30N100L (82.9 Кб), 19.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTN30N100L Linear Power MOSFET With Extended FBSOA (82.9 Кб), 19.02.2009



Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 606 Дата публикации: 19.02.2009 22:55
Дата редактирования: 23.01.2012 09:58

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники