Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IPI029N06N | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2.9 | 100 | 136 |
TO-262 |
| IPW60R040C7 | N-канальный MOSFET-транзистор серии CoolMOS™ C7 с напряжением сток-исток 600 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 40 | 50 | 227 |
|
| IPB60R125C6 | 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 110 | 30 | 219 |
|
| IPB80N06S4-05 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 4.4 | 80 | 107 |
TO-263-3 |
| BSC017N04NS | Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 40 В, 100 А, 1.7 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 1.7 | 100 | 139 |
|
| BSC022N04LS | Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 3.2 | 2.2 | 100 | 69 |
|
| IPA60R600C6 | 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 540 | 7.3 | 28 |
TO-220F |
| IPP80P03P4-05 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | - | 4.1 | -80 | 137 |
TO-220 |
| IPA50R950CE | 500В силовой транзистор серии CoolMOS™ CE |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 950 | 12.8 | 26 |
|
| BSZ0506NS | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 30 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 5.3 | 4.4 | 40 | 27 |
|
| IPB180N06S4-H1 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 1.3 | 180 | 250 |
TO-263-7 |
| IPI110N20N3-G | OptiMOS™-3 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 9.9 | 88 | 300 |
TO-262 |
| BSC010N04LSI | Транзистор серии OptiMOS™ на 40 В, 100 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 1.4 | 1.05 | 100 | 139 |
|
| IPS80R1K4P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 1400 | 4 | 32 |
|
| IPI60R190C6 | 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 170 | 20.2 | 151 |
TO-262 |
| IPP45N06S4-09 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 7.9 | 45 | 71 |
TO-220 |
| BSC190N15NS3 | Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 150 В, 50 А, 19 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 19 | 50 | 125 |
|
| IPD80R1K4CE | Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ CE с рабочим напряжением 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 1400 | 12 | 63 |
TO-252 |
| IPD30N03S4L-09 | N-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 10.4 | 7.3 | 30 | 42 |
TO-252 |
| IPD40N03S4L-08 | N-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 9.7 | 7.2 | 40 | 42 |
TO-252 |
