Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| HUFA75645P3 | N-Channel, UltraFET Power MOSFETs |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 11.5 | 75 | 310 |
TO-220AB |
| TSM2310CX | N-канальный MOSFET транзистор, 20 В, 4 А |
|
Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 20 | 100 | 40 | - | 30 | - | 4 | 1.25 |
SOT-23-3 |
| STF13NK50Z | N-channel 500V - 0.40? - 11A TO-220FP Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 400 | 11 | 30 |
|
| IRL3705N | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 10 | 89 | 130 |
TO-220AB |
| IXFB100N50P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 49 | 49 | 49 | 49 | 49 | 100 | 1250 |
|
| IRFI830GPBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 1500 | 3.1 | 35 |
TO-220F |
| SiE850DF | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 2.4 | 2.1 | 60 | 104 |
|
| STP55NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.01 W - 55A TO-220 STripFET™ II POWER MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 10 | 13 | 55 | 80 |
TO-220 |
| HUF76407D3 | N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 107 | 77 | 12 | 38 |
|
| IXTH6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 2200 | 2200 | 2200 | 2200 | 2200 | 6 | 300 |
|
| STP12NM50FP | N-channel 550V @ tjmax - 0.30? - 12A TO-220FP MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 550 | - | - | - | - | 300 | 12 | 35 |
|
| IRFR120Z | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 190 | 8.7 | 35 |
D-PAK |
| IXTT1H100 | High Voltage MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 11000 | 1.5 | 60 |
|
| IRF540S | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 77 | 28 | 150 |
D2-PAK |
| STB19NF20 | N-channel 200V - 0.15? - 15A - D2PAK MESH OVERLAY™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 150 | 15 | 90 |
D2-PAK |
| FQU3N60C | 600V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 2800 | 2.4 | 50 |
|
| FCH072N60F | N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 600 В, 52 А |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 72 | 52 | 481 |
|
| IXTY1R4N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 1.4 | 63 |
TO-252 |
| IXFR70N15 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 28 | 28 | 28 | 28 | 28 | 67 | 250 |
|
| IRF7331 | HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 2 | 20 | - | - | 45 | 30 | - | 7 | 2 |
SOIC-8 |
