Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IRF740LC | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 550 | 10 | 125 |
TO-220AB |
|
IRF60DM206 | N-канальный MOSFET-транзистор семейства StrongIRFET™ в корпусе DirectFET® | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2.9 | 130 | 96 |
|
|
NTS4172N | Power MOSFET 30 V, 1.7 A, Single N?Channel, SC?70 | ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 64 | 58 | 1.6 | 0.294 |
|
|
DMN2004TK | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 20 | 700 | - | - | 400 | - | 0.54 | 0.15 |
|
|
Si1488DH | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 20 | 54 | - | 47 | 41 | 15 | 6.1 | 2.8 |
SC70-6 |
|
IXTQ200N10T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 200 | 550 |
|
|
STF12NM50N | N-channel 500 V, 0.29 ?, 11 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220FP | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 290 | 11 | 25 |
|
|
IXFH40N30 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 300 | 85 | 85 | 85 | 85 | 85 | 40 | 300 |
|
|
IXFR32N100Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 350 | 350 | 350 | 350 | 350 | 23 | 570 |
|
|
STP23NM60ND | N-channel 600 V - 0.150 ? - 20 A - TO-220 FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode) | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 150 | 20 | 150 |
TO-220 |
|
FDN339AN | N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | - | - | 29 | 3 | 0.5 |
|
|
IRF7456 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | 20 | 7.5 | 6.5 | 16 | 2.5 |
SOIC-8 |
|
NTS4172N | Power MOSFET 30 V, 1.7 A, Single N?Channel, SC?70 | ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 64 | 58 | 1.6 | 0.294 |
|
|
PHP96NQ03LT | TrenchMOS (tm) logic level FET | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 5.6 | 4.2 | 75 | 115 |
TO-220AB |
|
IRFH7934PbF | 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 4.2 | 2.9 | 24 | 3.1 |
|
|
STP9NK70ZFP | N-CHANNEL 700V - 1W - 7.5A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 700 | - | - | - | - | 1000 | 7.5 | 35 |
|
|
FQPF90N10V2 | 100V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 8.5 | 90 | 83 |
TO-220F |
|
IRLU3410 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | 155 | 105 | 17 | 52 |
|
|
IXFN32N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 320 | 320 | 320 | 320 | 320 | 27 | 690 |
|
|
STB30NF10 | N-channel 100V - 0.038? - 35A - D2PAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 38 | 35 | 115 |
D2-PAK |