Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 421 422 423 424 425 426 427 428 429 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTA86N20T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 200 29 29 29 29 29 86 480 TO-263
IRFBA90N20D HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 200 - - - - 23 98 650 TO-273AA
STF21NM60ND N-channel 600 V, 0.17 ?, 17 A FDmesh™ II Power MOSFET TO-220FP STMicroelectronics MOSFET
 N 1 600 - - - - 170 17 30 TO-220FP
IXTT26N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 230 230 230 230 230 26 400 TO-268
PHP79NQ08LT N-канальный TrenchMOS транзистор с логическим уровнем FET NXP MOSFET
 N 1 75 - - - 15.5 14 67 157 TO-220AB
CPC3714C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
 N 1 350 14000 14000 14000 14000 14000 0.24 1.6 SOT-89
FDC855N 30V Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 30 - - - 28.2 20.7 6.1 1.6 SSOT-6
HUF76645P3 N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 100 - - - 13.5 12 75 310 TO-220AB
BSC009NE2LS5I Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В Infineon Technologies MOSFET
 N 1 25 - - - 1.35 0.95 100 74 SuperSO8
STP3NK90ZFP N-CHANNEL 900V - 4.1W - 3A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 900 - - - - 4100 3 25 TO-220FP
IXTH182N055T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 5 5 5 5 5 182 360 TO-247
STP50NF25 N-channel 250V - 0.055? - 45A - TO-220 low gate charge STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 250 - - - - 55 45 160 TO-220
IXTH14N80 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 700 700 700 700 700 14 300 TO-247
FDN359BN N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 30 - - - 32 26 2.7 0.5 SuperSOT -3
IXFH11N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 950 950 950 950 950 11 300 TO-247AD
IRF3704Z HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 20 - - - 11.1 7.9 67 57 TO-220AB
STF3N62K3 N-channel 620 V, 2.2 ? , 2.7 A SuperMESH3™ Power MOSFET TO-220FP STMicroelectronics MOSFET
 N 1 620 - - - - 2200 2.7 20 TO-220FP
NTJS4160N Power MOSFET 30 V, 3.2 A, Single N-Channel, SC-88 ON Semiconductor MOSFET
 N 1 30 - - - 65 45 2.6 0.62 SC-88
ZVNL110G SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
 N 1 100 - - - - 3000 0.6 2 SOT-223-4
HUFA75645P3 N-Channel, UltraFET Power MOSFETs Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 100 - - - - 11.5 75 310 TO-220AB
Страницы: предыдущая 1 ... 421 422 423 424 425 426 427 428 429 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники