Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXFH320N10T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 320 | 1000 |
|
|
STS5NF60L | N-channel 60V - 0.045? - 5A - SO-8 STripFET™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 50 | 45 | 5 | 2.5 |
SOIC-8 |
|
IXKR47N60C5 | Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 45 | 45 | 45 | 45 | 45 | 47 | 278 |
|
|
IXTH24N50 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 230 | 230 | 230 | 230 | 230 | 24 | 300 |
|
|
HUFA76407D3 | N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 107 | 77 | 12 | 38 |
|
|
IXTY01N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 80000 | 80000 | 80000 | 80000 | 80000 | 0.1 | 25 |
|
|
ZXMN2B14FH | 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability | Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 20 | 100 | - | - | 55 | - | 4.3 | 1 |
SOT-23-6 |
|
IRF2804L | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 2.3 | 280 | 330 |
TO-262 |
|
FDS8880 | N-Channel PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 9.6 | 7.9 | 11.6 | 2.5 |
SOIC-8 |
|
STB9NK60Z | N-CHANNEL 600V - 0.85W - 7A D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 850 | 7 | 125 |
D2-PAK |
|
IRFSL11N50APBF | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 550 | 11 | 190 |
TO-262 |
|
IXFH26N60Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 250 | 250 | 250 | 250 | 250 | 26 | 360 |
|
|
STP90N4F3 | N-channel 40 V, 5.4 m?, 80 A, TO-220 STripFET™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 5.4 | 80 | 110 |
TO-220 |
|
IXFH22N50P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 270 | 270 | 270 | 270 | 270 | 22 | 350 |
|
|
IPP320N20N3-G | OptiMOS™-3 Power-Transistor | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 28 | 34 | 136 |
|
|
IRL1004 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 9 | 6.5 | 130 | 200 |
TO-220AB |
|
FQI19N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 110 | 21 | 140 |
|
|
STN1NK60Z | N-channel 600V - 13? - 0.8A - SOT-223 Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 13000 | 0.3 | 3.3 |
SOT-223-4 |
|
BSC016N06NS | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 1.6 | 100 | 139 |
|
|
IRFD320PBF | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 1800 | 0.49 | 1 |
HEXDIP |