Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IRFPE40PBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 2000 | 5.4 | 150 |
TO-247AC |
| Si7852ADP | N-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 80 | - | - | - | - | 14 | 30 | 62.5 |
PowerPAK_SO-8 |
| STB4NK60Z | N-channel 600 V - 1.76 ? - 4 A SuperMESH™ Power MOSFET D2PAK - I2PAK |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 1760 | 4 | 70 |
D2-PAK |
| FQB5N50C | 500V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 1140 | 5 | 73 |
D2-PAK |
| IRFTS8342TRPBF | Однокристальный n-канальный МОП-транзистор с технологией HEXFET на 30В в корпусе TSOP-6 (Micro 6) |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 29 | 19 | 8.2 | 2 |
|
| IRFU3704Z | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | - | 11.4 | 8.4 | 60 | 48 |
|
| STP60NS04ZB | N-channel clamped - 10m? - 60A - TO-220 Fully protected Mesh Overlay™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 0 | - | - | - | - | 11 | 60 | 150 |
TO-220 |
| IXFB300N10P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 300 | 1500 |
|
| IRFBC30LPBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 2200 | 3.6 | 74 |
TO-262 |
| NTP30N06L | Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts, Logic Level, N?Channel TO?220 |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | - | 30 | 88.2 |
TO-220 |
| 2N7002VAC | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 2 | 60 | - | - | - | - | 13500 | 0.28 | 0.15 |
|
| SiE810DF | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | 2.2 | 1.3 | 1.1 | 60 | 125 |
|
| STB20NM60 | N-channel 600V - 0.25? - 20A - D2/I2PAK MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 250 | 20 | 192 |
D2-PAK |
| IXFK33N50 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 160 | 160 | 160 | 160 | 160 | 33 | 416 |
|
| IXTB62N50L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 62 | 800 |
|
| STP7NM50N | N-channel 500V - 0.70? - 5A - TO-220 Second generation MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 700 | 5 | 45 |
TO-220 |
| FDMS8680 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 8.5 | 5.5 | 35 | 50 |
|
| IXFH320N10T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 320 | 1000 |
|
| IRFB23N20D | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 100 | 24 | 170 |
TO-220AB |
| PHP110NQ08T | N-канальный TrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | - | 7.7 | 75 | 230 |
TO-220AB |
