Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 20 21 22 23 24 25 26 27 28 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFN20N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 570 570 570 570 570 20 595 SOT-227 B
IXFN26N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 390 390 390 390 390 23 595 SOT-227 B
IXTR120P20T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -200 32 32 32 32 32 -90 595 ISOPLUS247
FCH041N60F N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 600 В, 76 А Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 600 - - - - 41 76 595 TO-247
FCH043N60 N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 600 В, 75 А Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 600 - - - - 43 75 592 TO-247
FCH041N60E N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 600 В, 77 А Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 600 - - - - 41 77 592 TO-247
IXFL39N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 220 220 220 220 220 34 580 ISOPLUS264
IRFP90N20D HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 200 - - - - 23 94 580 TO-247AC
IXFE39N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 220 220 220 220 220 34 580 ISOPLUS-227
IXFE80N50 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 55 55 55 55 55 72 580 ISOPLUS247
IXFR32N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 350 350 350 350 350 23 570 ISOPLUS247
IXFR80N50Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 72 72 72 72 72 50 570 ISOPLUS247
IRFPS40N60KPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 600 - - - - 110 40 570 TO-274AA
IRFPS40N60K HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 600 - - - - 110 40 570 TO-274AA
IXFN102N30P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 300 33 33 33 33 33 86 570 SOT-227 B
IXTT140P10T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -100 14 14 14 14 14 -140 568 TO-268
IXTH140P10T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -100 14 14 14 14 14 -140 568 TO-247
IXTX24N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 400 400 400 400 400 24 568 PLUS247
IXFR64N60Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 104 104 104 104 104 42 568 ISOPLUS247
IXTT68P20T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -200 55 55 55 55 55 -68 568 TO-268
Страницы: предыдущая 1 ... 20 21 22 23 24 25 26 27 28 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники