Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 20 21 22 23 24 25 26 27 28 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFH15N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 600 600 600 600 600 15 300 TO-247AD
IXFT15N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 600 600 600 600 600 15 300 TO-268
ZXM61P02F 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Zetex MOSFET
 P 1 -20 - - - 600 - -0.9 0.8 SOT-23-3
IXFR15N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 600 600 600 600 600 13 250 ISOPLUS247
IRL2703S HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - 600 400 24 45 D2-PAK
IRL2703 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - 600 400 24 45 TO-220AB
ZXMP6A13G 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Zetex MOSFET
 P 1 -60 - - - 595 390 -2.3 2 SOT-223-4
IXFN20N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 570 570 570 570 570 20 595 SOT-227 B
IXFX20N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 570 570 570 570 570 20 780 PLUS247
IXFK20N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 570 570 570 570 570 20 780 TO-264
IXFT20N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 570 570 570 570 570 20 660 TO-268
IXFH20N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 570 570 570 570 570 20 660 TO-247
IXFP14N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 550 550 550 550 550 14 300 TO-220
IXFH14N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 550 550 550 550 550 14 300 TO-247
IXFA14N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 550 550 550 550 550 14 300 TO-263
IXTQ14N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 550 550 550 550 550 14 300 TO-3P
IXTP14N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 550 550 550 550 550 14 300 TO-220
IXTA14N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 550 550 550 550 550 14 300 TO-263
IXTP14N60PM Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 550 550 550 550 550 7 75 TO-220-3 ISO
IXFN22N120 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 550 550 550 550 550 25 625 SOT-227 B
Страницы: предыдущая 1 ... 20 21 22 23 24 25 26 27 28 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники