Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 17 18 19 20 21 22 23 24 25 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTP18N60PM Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 420 420 420 420 420 9 90 TO-220-3 ISO
IXFH23N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 420 420 420 420 420 23 500 TO-247AD
IXFK20N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 420 420 420 420 420 20 360 TO-264AA
IXFH20N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 420 420 420 420 420 20 360 TO-247AD
IXFT20N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 420 420 420 420 420 20 360 TO-268
IXTP16N50PM Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 420 420 420 420 420 7.5 75 TO-220
IXFR24N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 420 420 420 420 420 13 208 ISOPLUS247
IXFK24N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 400 400 400 400 400 24 650 TO-268
IXFH24N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 400 400 400 400 400 24 650 TO-247
IXTX24N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 400 400 400 400 400 24 568 PLUS247
IXFX30N100Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 400 400 400 400 400 30 735 PLUS247
IXFK30N100Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 400 400 400 400 400 30 735 TO-264
IXFM13N50 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 400 400 400 400 400 13 180 TO-204AA
IXFH13N50 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 400 400 400 400 400 13 180 TO-247AD
IXFJ13N50 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 400 400 400 400 400 13 180 TO-220
IXFC13N50 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 400 400 400 400 400 12 140 ISOPLUS220
IXTQ16N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 400 400 400 400 400 16 300 TO-3P
IXTP16N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 400 400 400 400 400 16 300 TO-220
IXTA16N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 400 400 400 400 400 16 300 TO-263
IRFP450 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 400 400 400 400 400 14 190 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 17 18 19 20 21 22 23 24 25 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники