Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 17 18 19 20 21 22 23 24 25 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IRFBF30 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 900 - - - - 3700 3.6 125 TO-220AB
STP3NK90ZFP N-CHANNEL 900V - 4.1W - 3A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 900 - - - - 4100 3 25 TO-220FP
IXFH12N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 900 900 900 900 900 12 300 TO-247AD
IXFK40N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 210 210 210 210 210 40 960 TO-264
IRFBF20PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 900 - - - - 8000 1.7 54 TO-220AB
STP3NK90Z N-CHANNEL 900V - 4.1W - 3A TO-220 Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 900 - - - - 4100 3 90 TO-220
IXFR18N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 660 660 660 660 660 10.5 200 ISOPLUS247
IXFX40N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 210 210 210 210 210 40 960 PLUS247
IRFBF20LPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 900 - - - - 8000 1.7 54 TO-262
STD3NK90Z N-CHANNEL 900V - 4.1W - 3A DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 900 - - - - 4100 3 90 D-PAK
I-PAK
IXFH13N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 800 800 800 800 800 13 300 TO-247AD
IXFN39N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 220 220 220 220 220 39 700 SOT-227 B
IRFBF20L HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 900 - - - - 8000 1.7 54 TO-262
IXFH12N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 900 900 900 900 900 12 300 TO-247AD
STW15NK90Z N-channel 900V - 0.40? - 15A - TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 900 - - - - 400 15 350 TO-247
IXFL39N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 220 220 220 220 220 34 580 ISOPLUS264
IRFBF20 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 900 - - - - 8000 1.7 54 TO-220AB
STF9NK90Z N-channel 900V - 1.1? - 8A - TO-220FP Zener-protected superMESHTM MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 900 - - - - 1100 8 40 TO-220FP
STY30NK90Z N-channel 900V - 0.21? - 26A - Max247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 900 - - - - 210 26 450 Max247
IXFM12N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 900 900 900 900 900 12 300 TO-204AA
Страницы: предыдущая 1 ... 17 18 19 20 21 22 23 24 25 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники