Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 14 15 16 17 18 19 20 21 22 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFX20N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 570 570 570 570 570 20 780 PLUS247
IXFK20N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 570 570 570 570 570 20 780 TO-264
IXFT20N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 570 570 570 570 570 20 660 TO-268
IXFH20N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 570 570 570 570 570 20 660 TO-247
IXFP14N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 550 550 550 550 550 14 300 TO-220
IXFH14N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 550 550 550 550 550 14 300 TO-247
IXFA14N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 550 550 550 550 550 14 300 TO-263
IXTQ14N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 550 550 550 550 550 14 300 TO-3P
IXTP14N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 550 550 550 550 550 14 300 TO-220
IXTA14N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 550 550 550 550 550 14 300 TO-263
IXTP14N60PM Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 550 550 550 550 550 7 75 TO-220-3 ISO
IXFN22N120 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 550 550 550 550 550 25 625 SOT-227 B
IXFV20N80PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 520 520 520 520 520 20 500 PLUS220SMD
IXFV20N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 520 520 520 520 520 20 500 PLUS220
IXFT20N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 520 520 520 520 520 20 500 TO-268
IXFH20N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 520 520 520 520 520 20 500 TO-247
IXFP12N50PM N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 500 500 500 500 500 6 50 TO-220-3 ISO
IXFN21N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 500 500 500 500 500 21 520 SOT-227 B
IXFX21N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 500 500 500 500 500 21 500 PLUS247
IXTH3N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 500 500 500 500 500 6 300 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 14 15 16 17 18 19 20 21 22 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники