Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 17 18 19 20 21 22 23 24 25 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
TK20S06K3L Силовой N-канальный MOSFET-транзистор для автомобильных приложений Toshiba MOSFET
 N 1 60 - - - - 29 20 38 DPAK-3
TK20S04K3L Силовой N-канальный MOSFET-транзистор для автомобильных приложений Toshiba MOSFET
 N 1 40 - - - - 14 20 38 DPAK-3
TK20J60U Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 165 20 190 TO-3P
TK20D60U Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 165 20 190 TO-220W
TK20A60U Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 165 20 45 TO-220SIS
TK15X60U Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 240 15 125 TFP (SMD)
TK15J60U Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 240 15 170 TO-3P
TK15D60U Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 240 15 170 TO-220W
TK15A60U Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 240 15 40 TO-220SIS
TK13A65U Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) Toshiba MOSFET
 N 1 650 - - - - 320 13 40 TO-220SIS
TK12X60U Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 360 12 100 TFP (SMD)
TK12J60U Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 360 12 144 TO-3P
TK12D60U Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 360 12 144 TO-220W
TK12A60U Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 360 12 35 TO-220SIS
TK10S04K3L Силовой N-канальный MOSFET-транзистор для автомобильных приложений Toshiba MOSFET
 N 1 40 - - - - 28 10 25 DPAK-3
TK100L60W Силовой высокоэффективный, высокоскоростной N-канальный MOSFET-транзистор на 600 В Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 15 100 797 TO-3P
TK100F06K3 Силовой высокоэффективный, высокоскоростной N-канальный MOSFET-транзистор на 60 В Toshiba MOSFET
 N 1 60 - - - - 4 100 180 TO-220W
TK100F04K3L Силовой высокоэффективный, высокоскоростной N-канальный MOSFET-транзистор на 40 В Toshiba MOSFET
 N 1 40 - - - - 2.5 100 180 TO-220W
TK100F04K3 Силовой высокоэффективный, высокоскоростной N-канальный MOSFET-транзистор на 40 В Toshiba MOSFET
 N 1 40 - - - - 2.5 100 180 TO-220
TK100E10N1 Силовой высокоэффективный, высокоскоростной N-канальный MOSFET-транзистор на 100 В Toshiba MOSFET
 N 1 100 - - - - 2.8 100 255 TO-220
Страницы: предыдущая 1 ... 17 18 19 20 21 22 23 24 25 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники