Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTY01N80 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 50000 | 50000 | 50000 | 50000 | 50000 | 100 | 25 |
|
|
IXTU01N80 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 50000 | 50000 | 50000 | 50000 | 50000 | 100 | 25 |
|
|
IXTF1N250 | Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 2500 | 40000 | 40000 | 40000 | 40000 | 40000 | 1 | 110 |
|
|
IXTH1N250 | Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 2500 | 40000 | 40000 | 40000 | 40000 | 40000 | 1.5 | 250 |
|
|
IXTP06N120P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 34000 | 34000 | 34000 | 34000 | 34000 | 0.6 | 42 |
TO-220 |
|
IXTA06N120P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 34000 | 34000 | 34000 | 34000 | 34000 | 0.6 | 42 |
|
|
IXTA05N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 30000 | 30000 | 30000 | 30000 | 30000 | 0.5 | 50 |
|
|
STU1N120 | N-channel 1200 V - 30 ? - 500 mA - IPAK Zener - protected SuperMESH™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | - | - | - | - | 30000 | 0.5 | 45 |
|
|
STP1N120 | N-channel 1200 V - 30 ? - 500 mA - TO-220 Zener - protected SuperMESH™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | - | - | - | - | 30000 | 0.5 | 45 |
TO-220 |
|
CPC3730C | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | Clare |
MOSFET |
N | 1 | 350 | 30000 | 30000 | 30000 | 30000 | 30000 | 0.14 | 1.6 |
SOT-89 |
|
IXTY02N50D | Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 30000 | 30000 | 30000 | 30000 | 30000 | 0.2 | 25 |
TO-252 |
|
IXTU02N50D | Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 30000 | 30000 | 30000 | 30000 | 30000 | 0.2 | 25 |
|
|
IXTP02N50D | Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 30000 | 30000 | 30000 | 30000 | 30000 | 0.2 | 25 |
TO-220 |
|
IXTP05N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 30000 | 30000 | 30000 | 30000 | 30000 | 0.5 | 50 |
TO-220AB |
|
BS107 | Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts N-Channel TO-92 | ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 28000 | 0.25 | 0.35 |
TO-92 |
|
ZXMP2120E5 | 200V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -200 | - | - | - | - | 28000 | -0.122 | 0.75 |
SOT-23-5 |
|
ZXMP2120FF | 200V SOT23F P-channel enhancement mode MOSFET | Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -200 | - | - | - | - | 28000 | -0.137 | 1 |
|
|
ZVP2120G | SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -200 | - | - | - | - | 25000 | -0.2 | 2 |
SOT-223-4 |
|
IXTP08N120P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 25000 | 25000 | 25000 | 25000 | 25000 | 0.8 | 50 |
TO-220 |
|
ZVN3320F | SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 25000 | 0.06 | 0.33 |
SOT-23-3 |