Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXTF1N250 Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET

 

Блок-схема

IXTF1N250, Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 2500
RDS(ON) 1.8 В,мОм 40000
RDS(ON) 2,7 В,мОм 40000
RDS(ON) 2,5 В,мОм 40000
RDS(ON) 4.5 В,мОм 40000
RDS(ON) 10 В,мОм 40000
ID,А 1
PD,Вт 110
Корпус ISOPLUS_i4
Datasheet
 
IXTF1N250 (326 Кб), 30.12.2011

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTF1N250 Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET (326 Кб), 30.12.2011



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1165 		Дата публикации: 30.12.2011 09:28
Дата редактирования: 30.12.2011 09:33

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники