IXTH1N250 Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET

 

Блок-схема

IXTH1N250, Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 2500
RDS(ON) 1.8 В,мОм 40000
RDS(ON) 2,7 В,мОм 40000
RDS(ON) 2,5 В,мОм 40000
RDS(ON) 4.5 В,мОм 40000
RDS(ON) 10 В,мОм 40000
ID 1.5
PD,Вт 250
Корпус TO-247AD

Общее описание

Datasheet
 
IXTH1N250 (105.6 Кб), 03.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTH1N250 High Voltage Power MOSFET (105.6 Кб), 03.02.2009




Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 1284 Дата публикации: 03.02.2009 14:23
Дата редактирования: 30.12.2011 09:34


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019